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道碴断面半桥驱动器和集成自举二极管半桥驱动器能够提供290毫安源电流和480毫安汇电流。这使得他们能够有效地驱动大的mosfetscg高达2.2nf。高边mosfet是采用自举结构驱动，减少了外部组件的数量。正常启动说明参考图7，正常启动过程如下：1.启动：一旦vcc达到启动阈值。ta=25°c，cl=1nf，cosc=470pf，rrun=47kω，除非另有规定1.跟踪中的参数2.统计特性在-125°c的温度范围内相关性3.脉冲串已发送至hbcs引脚，f=6khz；脉冲持续为注释中所示的“ton”设备说明l6585de嵌入了高性能pfc控制器、镇流器控制器和所有制造电子镇流器所需的相关驱动程序。内部thd优化器提高了电源电压达到时的性能零；这减少了交叉失真并避免了偏移的引入。过电压保护可以检测到两种不同的过电压保护：动态过电压，通常是由于由于输入电压过大，负载快速过渡和静态过电压。动态ovpctr引脚通过分压器连接到高压轨。如果电压在此引脚高于3.4v，pfc栅极驱动器将停止。这个允许使用饱和电流较低的电感器。但是，如果发生饱和，则扼流圈饱和保护一旦引脚pfcc处的电压达到1.7v以上。thd优化器功能当输入电压通过零时，pfc扼流圈不能储存能量，因为它的电压很低。这可能导致严重的交叉失真和随后的thd降解。一个小的偏移电压叠加在mult电压上可以降低这个问题。前缘下料通常电流感应电压是通过rc网络过滤的，以避免错误由于与寄生漏极有关的放电电流而关闭mosfetmosfet导通开始时的电容。此筛选生成在实际的阈值交叉和输入触发之间的延迟。在此期间pfc电感器电流增加，扼流圈可能饱和。前沿空白结构使pfcc输入仅在pfg开启后200ns（典型值）后。
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